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J-GLOBAL ID：201402216919790029   整理番号：14A1100101

シリコンナノ粒子の表面化学修飾とドーピング効果

著者 (4件)： 菅谷通宏 (東京工大) ,  YI Ding (東京工大) ,  SHU Zhou (東京工大) ,  野崎智洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-S9-8  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  ケイ素 ,  *化学修飾 ,  ハイブリッド複合材料 ,  太陽電池 ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  端部 ,  キャリア移動度 ,  末端基 ,  *シリコンナノ粒子 ,  ハイブリッド太陽電池 ,  水素終端 ,  電子移動度 ,  酸素終端化 ,  有機無機ハイブリッド複合体
準シソーラス用語： 塩素終端 ,  酸素終端 ,  有機無機ハイブリッド複合材料

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコンナノ粒子 ,  化学修飾 ,  ドーピング効果