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J-GLOBAL ID：201402220700948457   整理番号：14A0478994

CED法による有機無機ハイブリッド膜へのAuCl₄^-ドーピング挙動

著者 (3件)： 山浦考太郎 (東京工大) ,  岸哲生 (東京工大) ,  矢野哲司 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2014  ページ： ROMBUNNO.1K20  発行年： 2014年03月07日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *有機-無機ハイブリッド ,  *複合膜 ,  有機ケイ素化合物 ,  ケイ素化合物 ,  アルコラート ,  チタン化合物 ,  ゾル ,  ガラス ,  浸漬塗装 ,  *薄膜 ,  *塩化金 ,  供給 ,  電圧 ,  *ドーピング ,  *キャピラリー電気泳動 ,  輸率 ,  *電気伝導率 ,  ITOガラス ,  カルボン酸エステル
準シソーラス用語： CED【ドーピング】 ,  ディップコーティング ,  電圧印加 ,  複合体膜

分類 (3件)： 無機重合体  (YH07140R) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

物質索引 (3件)： 3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン ,  テトライソプロポキシチタン ,  テトラメトキシシラン

タイトルに関連する用語 (4件)： CED法 ,  有機無機ハイブリッド ,  ドーピング ,  挙動