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J-GLOBAL ID：201402226927900963   整理番号：14A0370442

Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ

著者 (9件)： 井上大輔 (東京工大) ,  LEE Jieun (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  厚地祐輝 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-F9-10  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  リン化物 ,  リン化インジウム ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  注入 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 電流注入

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  横方向 ,  電流注入 ,  GaInAsP ,  InP ,  薄膜 ,  レーザ