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J-GLOBAL ID：201402230873780417   整理番号：14A0147013

オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展

Progress toward Low Threshold Operation of Membrane Laser for On-chip Optical Interconnection

著者 (8件)： 進藤隆彦 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  二見充輝 (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 352(LQE2013 125-133)  ページ： 27-32  発行年： 2013年12月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSI内のグローバル配線層の代替として,我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチップ光配線用光源として期待される半導体薄膜(membrane)レーザは,高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が可能となる。本稿では,オンチップ光配線用光源としての半導体薄膜レーザの理論解析を行い,コア層厚150nmの薄膜構造の導入によってオンチップ光配線の要求特性を総合的に満たすことを示した。さらに,横方向電流注入構造を導入した半導体薄膜レーザにおいて,しきい電流値3.5mAの低しきい値動作を達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： 高密度実装 ,  *半導体チップ ,  *相互接続 ,  *光集積回路 ,  *半導体薄膜 ,  *半導体レーザ ,  横方向 ,  注入 ,  閉込め ,  電流 ,  屈折率 ,  利得 ,  光源 ,  コア構造 ,  回折格子 ,  エネルギーコスト ,  分布帰還形レーザ ,  消費電力 ,  光閉込め ,  閾値電流
準シソーラス用語： オンチップ ,  光配線 ,  電流注入 ,  表面回折格子 ,  Fabry-Perot半導体レーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (6件)： オンチップ ,  光配線 ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  しきい値 ,  進展