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J-GLOBAL ID：201402240120307820   整理番号：14A0031929

オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション

Electromagnetic Simulation of Radiation Efficiency Improvement for an On-chip Antenna by a High Resistivity Substrate Supposing Ion Irradiation

著者 (5件)： 矢尾裕樹 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  平野拓一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岡田健一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  広川二郎 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安藤真 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 300(AP2013 100-123)  ページ： 25-30  発行年： 2013年11月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSオンチップアンテナの放射効率改善のために,チップの一部にイオン照射を想定した低損失シリコン(Si)基板を用いた場合の放射特性の電磁界シミュレーションを行った。60GHzにおいてオンチップダイポールアンテナの直下の1200μm×600μmのSi基板の領域を低導電率化(高抵抗化)することで,放射効率を2.23%から62.2%まで改善可能であることをシミュレーションで確認した。また,2つのオンチップダイポールアンテナによる伝送評価モデルのシミュレーションを行った。プローブステーションの金属台上でも,ガラス基板を厚くし,アンテナを金属面から遠ざけることで受信電力が大きくなり,伝送特性の測定が可能であることが確認できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *アンテナ ,  半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  放射効率 ,  *電磁場解析 ,  *イオン照射 ,  数値解析 ,  ダイポールアンテナ ,  CMOS ,  *シリコンウエハ ,  電磁界数値解析
準シソーラス用語： *オンチップアンテナ ,  *シリコン基板 ,  電磁界シミュレーション

分類 (3件)： アンテナ  (ND06000M) ,  電磁気学一般  (BD01020N) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (5件)： オンチップアンテナ ,  イオン照射 ,  想定 ,  放射効率 ,  電磁界シミュレーション