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J-GLOBAL ID：201402242099716989   整理番号：14A0276153

Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討

Electromagnetic Simulation of High Resistance Silicon Substrate by Helium ion Irradiation

著者 (10件)： 矢尾裕樹 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  平野拓一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LI Ning (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岡田健一 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  松澤昭 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  広川二郎 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安藤真 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  井上剛 (住重試験検査) ,  正岡章賀 (住重試験検査) ,  坂根仁 (住重試験検査)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 397(MWP2013 54-109)  ページ： 181-185  発行年： 2014年01月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている。Si結晶に照射したイオンによる格子欠陥により高抵抗化を実現する。本報告ではイオン照射によりSi基板内部に周期的に空洞ができたと仮定し,単位セルの固有値解析を用いて電波伝搬特性から実効比誘電率と実効抵抗率を評価した。単位セル内の空洞が大きくなることにより,導電率の減少を確認できた。また,実際のイオン照射による実験結果と電磁界シミュレーションの解析結果との比較を行った。10Ω・cmのSi基板に空洞を空けて1kΩ・cmの抵抗率を得るためには体積比で87.7%の空洞を空けなければならないことがわかった。また,実験から1kΩ・cmの抵抗率を得るための照射イオン数はキャリア数の12.5倍であり,空洞以外の部分をマクロな電気定数で表現し,マクスウェルの方程式のみで論じることができないことがわかった。このような物理現象も考慮した解析を行うことが今後の課題である。(著者抄録)

シソーラス用語： *電子回路 ,  *半導体集積回路 ,  *ウエハ【IC】 ,  ヘリウム ,  *イオン照射 ,  周期構造 ,  空洞 ,  解析 ,  電波伝搬 ,  伝搬特性 ,  誘電率 ,  *電気抵抗率 ,  *数値解析 ,  *CMOS集積回路 ,  *電磁界数値解析
準シソーラス用語： *ミリ波回路 ,  固有値解析 ,  *電磁界シミュレーション

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： He ,  イオン照射 ,  シリコン基板 ,  電磁界シミュレーション ,  基礎