文献

J-GLOBAL ID：201402247291632502   整理番号：14A1500486

ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP吸収形光変調器の特性解析

Theoretical Analysis of GaInAsP/InP Electro-absorption Modulator utilizing Gap-surface-plasmon-polariton and ITO Thin Film

著者 (6件)： 雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  村井英淳 (東京工大) ,  GU Zhichen (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 282(OPE2014 85-126)  ページ： 169-174  発行年： 2014年10月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,III-V族半導体ベースのプラズモン回路においてモノリシックに集積可能なプラズモン吸収変調器の提案およびその理論解析を行った。本素子の特徴は,ギャッププラズモン構造とFINFET-likeなトランジスタ構造を組み合わせることで,高い変調効率を実現しながら,金属損失を減らすことができる点にある。有限要素法による光モード解析と半導体デバイスシミュレータを用いたキャリア解析により,5.0Vの電圧印加時に4.5dB/μmの消光比が得られることが見積もられた。また,無バイアス時の伝搬損失は1.5dB/μmとなっており,性能指数(伝搬損に対する消光比の割合)は3となり,他のSi系プラズモン変調器に比べて極めて大きい値を示すことがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *集積 ,  *技術 ,  *光変調素子 ,  化合物半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  消光比 ,  プラズモン ,  III-V半導体
準シソーラス用語： FinFET ,  III-V族化合物半導体 ,  *プラズモニクス ,  *光集積

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

引用文献 (30件)：

• R. Nagarajan et al., IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 11, 50-65 (2005).
• J. J. G. M. van der Tol et al., Prog. Quantum Electron. 34, 135-172 (2010).
• L. A. Coldren et al., J. Lightwave Technol. 29, 554-570 (2011).
• R. A. Soref et al., IEEE J. Quantum Electron. QE-23, 123-129 (1987).
• R. A. Soref, Proc. IEEE 81, 1687-1706 (1993).

タイトルに関連する用語 (7件)： ギャップ ,  プラズモン ,  ITO ,  GaInAsP ,  InP ,  光変調器 ,  特性解析