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J-GLOBAL ID：201402250824796872   整理番号：14A0161138

メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御

Permeability control on InP-based photonic integration platform using metamaterial

著者 (9件)： 雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  金澤徹 (東京工大) ,  石川篤 (理研) ,  KANG JoonHyun (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大) ,  田中拓男 (理研) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 370(OPE2013 138-147)  ページ： 45-50  発行年： 2013年12月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究グループでは,従来の化合物半導体をベースとしたInP系光集積プラットフォームにおいて,誘電率に加えて‘透磁率’の概念を導入することを目指している。その一つとして今回,‘透磁率’を制御することによる光変調器を試作した。変調器はGaInAsP/InP系マッハツェンダー(MZ)導波路の各アームに金属微細共振器(メタマテリアル)が一列に埋め込まれた構造となっている。金属微細共振器構造と化合物半導体を特殊な形で組み合わせることで,デバイス上部から電圧を印加することにより透磁率の制御が行えるような導波路構造となっている。最終的に,透磁率を制御することによって1550nm帯で6.9dBの消光比を観測することに成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *透磁率 ,  光集積回路 ,  *リン化インジウム ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  *光導波路 ,  光学材料 ,  *人工材料 ,  機械要素 ,  誘電率 ,  光共振器 ,  消光比 ,  *メタマテリアル ,  プラットフォーム【機械】

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： メタマテリアル ,  InP ,  プラットフォーム ,  透磁率