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J-GLOBAL ID：201402251061746433   整理番号：14A0058738

立方晶窒化ホウ素におけるシリコンの局所環境

Local environment of silicon in cubic boron nitride

著者 (6件)： MURATA Hidenobu (Advanced Key Technologies Div., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (Advanced Key Technologies Div., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  HISHITA Shunichi (Environment and Energy Materials Div., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  YAMAMOTO Tomoyuki (Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  OBA Fumiyasu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Yoshida-Honmachi, Sakyo, Kyoto 606-8501, JPN) ,  TANAKA Isao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Yoshida-Honmachi, Sakyo, Kyoto 606-8501, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 23  ページ： 233502-233502-4  発行年： 2013年12月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *セラミック ,  *窒化ホウ素 ,  *ケイ素 ,  環境 ,  局所性 ,  *ドーピング ,  状態 ,  *XANES ,  計算 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  深さプロフィル ,  深さ分析 ,  エネルギー ,  置換 ,  立方晶系 ,  第一原理計算 ,  *CBN【セラミック】
準シソーラス用語： 高圧高温 ,  生成エネルギー ,  *立方晶窒化ホウ素

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 立方晶窒化ホウ素 ,  シリコン ,  環境