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J-GLOBAL ID：201402254520044101   整理番号：14A0065218

改良Becke-Johnson交換ポテンシャルを用いたSr₂Bi₂O₅結晶のバンドギャップの改善された計算

Improved calculation of band gap of Sr₂Bi₂O₅ crystal using modified Becke-Johnson exchange potential

著者 (7件)： OBUKURO Yuki (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of ...) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of ...) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol. (KCT), 5-20-1 Shii ...) ,  OBATA Kenji (Dep. of Biological Functions and Engineering, Graduate School of Life Sci. and Systems Engineering, Kyushu Inst. of ...) ,  OBATA Kenji (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol. (KCT), 5-20-1 Shii ...) ,  ARAI Masao (Computational Materials Sci. Unit (CMSU), National Inst. of Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  KOBAYASHI Kenkichiro (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku ...)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 75  号： 3  ページ： 427-432  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所密度近似補正と組合せた改良Becke-Johnsonポテンシャル(MBJ-LDA)を用いたスカラー相対論的フルポテンシャル線形増強平面波法により,Sr₂Bi₂O₅の電子構造を計算した。Γ点で価電子バンド極大(VBM)および伝導バンド極小(CBM)がともに存在し,Sr₂Bi₂O₅が直接バンドギャップ材料であることを示した。バンドギャップは3.17eVと算出され,実験値と非常に近かった。この結果は,GGA計算による結果が過小評価になることとは大きな違いであった。他方,MBJ-LDAおよびGGA法では,VBMおよびCBM近傍で光発生した正孔および電子の有効質量には小さな差異のみが存在した。Sr₂Bi₂O₅の光学的性質を複素誘電関数ε(ω)=ε₁(ω)+iε₂(ω)から計算した。ε₂(ω)関数では,3.5eVに高度に分極したピークが観測された。また,MBJ-LDAから評価した吸収係数は実験結果に非常に近かった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  セラミック ,  *光学ギャップ ,  *APW法 ,  *近似法 ,  *電子構造 ,  1-10eV ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  有効質量 ,  複素誘電率 ,  吸収係数 ,  結晶構造 ,  *密度汎関数法 ,  化合物半導体 ,  *光学定数 ,  相対論的バンド構造計算 ,  *FPLAPW法
準シソーラス用語： *フルポテンシャル線形増強平面波法 ,  *局所密度近似

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 改良Becke-Johnson交換ポテンシャル ,  結晶 ,  バンドギャップ ,  計算