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J-GLOBAL ID：201402255521961309   整理番号：14A1099272

GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作

著者 (10件)： 厚地祐輝 (東京工大) ,  土居恭平 (東京工大) ,  LEE Jieun (東京工大) ,  渥美裕樹 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-C6-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  *分布帰還形レーザ ,  化合物半導体 ,  レーザ発振 ,  閾値 ,  赤外レーザ ,  近赤外線 ,  近赤外レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaInAsP ,  InP ,  半導体薄膜 ,  分布 ,  帰還 ,  レーザ ,  しきい値