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J-GLOBAL ID：201402258185231541   整理番号：14A0368667

ZnO単結晶薄膜にドープされたWの表面偏析

著者 (7件)： 鈴木拓 (物質・材料研究機構) ,  安達裕 (物質・材料研究機構) ,  齋藤紀子 (物質・材料研究機構) ,  橋口未奈子 (物質・材料研究機構) ,  坂口勲 (物質・材料研究機構) ,  大橋直樹 (物質・材料研究機構) ,  菱田俊一 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.17A-E10-7  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  ドーピング ,  タングステン ,  *表面偏析 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  イオン散乱 ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ蒸着 ,  単結晶膜
準シソーラス用語： 単結晶薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  単結晶薄膜 ,  ドープ ,  表面偏析