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J-GLOBAL ID：201402260332334461   整理番号：14A1098357

表面活性化接合を用いたIII-V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII-V層部分エッチングプロセスの検討

著者 (8件)： 鈴木純一 (東京工大) ,  林侑介 (東京工大) ,  久能雄輝 (東京工大) ,  KANG Joon Hyun (東京工大) ,  雨宮智宏 (量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18A-A18-3  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光学素子 ,  *SOI構造 ,  ハイブリッド方式 ,  化合物半導体 ,  活性化 ,  接合 ,  *エッチング ,  生産プロセス ,  III-VI半導体
準シソーラス用語： III-VI族化合物半導体 ,  表面活性化

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面活性化接合 ,  SOI ,  光デバイス ,  エッチングプロセス