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J-GLOBAL ID：201402261696899070   整理番号：14A1099727

アンドープ基板を用いたSi/SiGe量子ドットデバイスのノイズ評価

著者 (11件)： 本田拓夢 (東工大 量子ナノ研) ,  武田健太 (東大) ,  神岡純 (東工大 量子ナノ研) ,  米田淳 (理研) ,  MARIAN Marx (理研) ,  小寺哲夫 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  樽茶清悟 (東大) ,  樽茶清悟 (理研) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-A19-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  *HEMT ,  基板 ,  *変調ドーピング ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  化合物半導体 ,  *点接触 ,  *雑音低減 ,  *雑音 ,  シリコンゲルマニウム合金
準シソーラス用語： *シリコン ,  SiGe合金 ,  *量子点接触 ,  *ランダムテレグラフノイズ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiGe ,  量子ドット ,  ノイズ ,  評価