MOCVD法によるGeエピタキシャル成長

須田耕平; 石原聖也; 町田英明; 石川真人; 須藤弘; 大下祥雄; 小椋厚志

文献

J-GLOBAL ID：201402267485892956 整理番号：14A0370400

MOCVD法によるGeエピタキシャル成長

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資料名：
巻： 61st ページ： ROMBUNNO.18P-F6-4 発行年： 2014年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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