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J-GLOBAL ID：201402271017120595   整理番号：14A0161371

ZnGa₂O₄をバッファー層に用いたマグネタイト薄膜の作製

著者 (6件)： 寺口健斗 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  浜嵜容丞 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  谷山智康 (東京工大) ,  伊藤満 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (セラミックス基礎科学討論会講演予稿集)
巻： 52nd  ページ： 194  発行年： 2014年01月09日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *酸化鉄 ,  磁性薄膜 ,  バッファ層 ,  ガリウム酸塩 ,  亜鉛化合物 ,  *レーザ蒸着 ,  基板 ,  アルミン酸塩 ,  マグネシウム化合物 ,  素子構造 ,  格子不整合 ,  *結晶構造 ,  格子定数 ,  形態 ,  表面構造 ,  磁気的性質 ,  結晶度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  アルミン酸マグネシウム ,  ヘテロ構造 ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： マグネタイト

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： バッファー層 ,  マグネタイト ,  薄膜 ,  作製