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J-GLOBAL ID:201402281539291930   整理番号:14A1135107

太陽光エネルギーの積極的利用 シリコンインクを用いた低コスト量子ドット太陽電池

著者 (1件):
資料名:
号: 419  ページ: 1124-1127  発行年: 2014年09月25日 
JST資料番号: Z0994A  ISSN: 0911-5943  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ナノ結晶シリコン(Si NC)の合成と有機無機ハイブリッド太陽電池への応用について紹介した。Si NCはSiCl4を原料とするプラズマCVD法を用いて合成した。水素プラズマによりSiCl4が脱塩素化され,微粒子が気相中で形成される。ナノ粒子の大きさは反応時間と原料濃度によって制御可能であり,流量をチューニングすることで,結晶サイズの揃ったSi NCが合成される。Si NCを適切な溶媒に分散させ,シリコンインク作製する。大きさが5~16nmのSi NCは,約波長400nm以下で強い吸収を示すが,可視光を吸収できないことが示された。パターン化した透明電極上に正孔輸送層(PEDOT:PSS)と光吸収層(Si NCと半導体ポリマP3HTをブレンドした薄膜)を厚さ100~200nmの厚さで製膜し,有機無機ハイブリッド太陽電池を作製した。半導体ポリマをP3HTからPTB7に変更し,Si-NCの表面をパッシベーションすることで開放電圧と短絡電流は上昇し,変換効率約3.5%が達成された。今後,実現可能性の高いSi NCを利用した太陽電池研究の推進が期待される。
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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