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J-GLOBAL ID：201402291551483602   整理番号：14A0370063

ルチル型TiO₂界面層を用いたHfO₂/Ge界面構造制御

著者 (7件)： 小橋和義 (明治大 理工) ,  小橋和義 (物質・材料研究機構) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  生田目俊秀 (物質・材料研究機構) ,  山下良之 (物質・材料研究機構) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  知京豊裕 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18P-D8-4  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *酸化ハフニウム ,  ゲルマニウム ,  *表面構造 ,  界面 ,  ルチル型結晶 ,  X線光電子スペクトル ,  *二酸化チタン ,  *界面構造 ,  *構造
準シソーラス用語： X線回折パターン

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ルチル ,  TiO2 ,  界面層 ,  HfO2 ,  Ge ,  界面構造