特許

J-GLOBAL ID：201403029630700772

半導体装置

発明者： 寺島 浩一 ,  竹内 潔 ,  山上 滋春 ,  若林 整 ,  小椋 厚志 ,  渡部 宏治 ,  辰巳 徹 ,  武田 晃一 ,  野村 昌弘 ,  田中 聖康
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-225497
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089841
特許番号：特許第5416186号
出願日： 2011年10月13日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】フィン型の電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、 該フィン型の電界効果型トランジスタは、 基体上に設けられた突起状の上面部と側面部を有する半導体領域と、 該半導体領域を挟んで形成された突起状のソース領域およびドレイン領域と、 絶縁膜を介して該半導体領域の該上面部と該側面部に設けられたゲート電極とを備え、 該ソース領域および該ドレイン領域は、その幅が最も大きい部分では前記半導体領域の幅よりも大きく、かつ該ソース領域および該ドレイン領域はそれらの最上部側から下方側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/08 102 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-079081
  
• 薄膜トランジスタおよび接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253056   出願人：株式会社東芝