特許
J-GLOBAL ID:201403065659049716
電界効果トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (12件):
特許業務法人浅村特許事務所
, 浅村 皓
, 浅村 肇
, 金森 久司
, 長沼 暉夫
, 池田 幸弘
, 梶原 斎子
, 新村 守男
, 長瀬 裕子
, 井上 洋一
, 弓削 麻理
, 渡邉 義敬
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-533172
特許番号:特許第5428113号
出願日: 2008年09月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物により形成されている半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
(式(1)中、X1及びX2は同一であって、硫黄原子又はセレン原子を表す。R1及びR2は同一であって、C1-C8の飽和アルキル基を表す。但し、X1及びX2のいずれもがセレン原子の場合には、R1及びR2は同一であって、C1-C4の飽和アルキル基を表す。)
IPC (6件):
H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, C07D 495/04 ( 200 6.01)
, C07D 517/04 ( 200 6.01)
FI (6件):
H01L 29/28 250 H
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 310 J
, H01L 29/78 618 B
, C07D 495/04 101
, C07D 517/04
引用特許:
引用文献:
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