特許

J-GLOBAL ID：200903020278989611

新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス

発明者： 瀧宮 和男 ,  功刀 義人 ,  大坪 徹夫
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (2件)： 本多 一郎 ,  本多 敬子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397788
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154371
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度(0.1cm2/Vs以上)と、高いオン/オフ電流比(105以上)の双方を満足する新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その実用材料としての製造および精製が容易な製造方法、およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。【解決手段】 次の一般式(1)、または、次の一般式(2)、(式中、X1〜X4はそれぞれ独立にセレン原子またはテルル原子である)で表されるベンゾジカルコゲノフェン誘導体である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

次の一般式(1)、

IPC (5件)：

C07D333/50 ,  C07D345/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14

FI (5件)：

C07D333/50 ,  C07D345/00 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (20件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機分子配向薄膜用材料及び有機分子配向薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300149   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-295074   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

引用文献：

審査官引用 (5件)

• Bull. Soc. Chim. Belg., 1991, Vol.100, No.1, pp.1-4
• Heterocycles, 1985, Vol.23, No.1, pp.81-92
• Advanced organic chemistry, 1985, pp.1028-1032
• Adv. Mater., 1997, Vol.9, No.1, pp.36-39
• 実験化学講座18 有機化合物の反応II(上), 1957, p.377-380