特許

J-GLOBAL ID：201403076021276326

有機半導体組成物

発明者： 瀧宮 和男 ,  桑原 博一 ,  由井 樹人 ,  池田 征明
出願人/特許権者： 日本化薬株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135951
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283786
特許番号：特許第5428104号
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物、又は該組成物と溶媒とを含む有機半導体インクを塗布して、その後、熱処理することにより得られる有機半導体薄膜であって、該熱処理の温度が有機半導体材料の融点以上である、有機半導体薄膜。 (式中、XはS、Se、またはTeを表す。)

IPC (6件)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C09D 11/00 ( 201 4.01)

FI (7件)：

H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 310 A ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  C09D 11/00

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547243   出願人：アベシア・リミテッド
• 有機装置の電気性質を向上する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210177   出願人：財団法人工業技術研究院
• 有機半導体層およびその改善
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-540612   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

審査官引用 (1件)

• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547243   出願人：アベシア・リミテッド