特許

J-GLOBAL ID：200903060821651946

電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法

発明者： ブラウン,ベバーリー・アン ,  クパーチノ,ドメニコ・カーロ ,  リーミング,スティーブン・ウィリアム ,  スコフィールド,ジョン・デビッド ,  ヴェレス,ジャノス ,  イエイテス,スティーブン・ジョージ
出願人/特許権者： アベシア・リミテッド
代理人 (5件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-547243
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525501
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

連続半導体層が、a)有機半導体;および、b)10-6Scm-1未満の固有導電率と1000Hzにおいて3.3未満の誘電率とを有する有機バインダー、を含む、電界効果トランジスタ、ならびに、その生産方法であって、・基板を、有機半導体および反応してバインダーを形成することができる材料を含む液層でコーティングし;そして、・該液層を、該材料を反応させてバインダーを形成させることにより、半導体およびバインダーを含む固体層に転化する、ことを含む方法。

請求項（抜粋）：

連続半導体層が、 a)有機半導体;および、 b)10-6Scm-1未満の固有導電率と1000Hzにおいて3.3未満の誘電率とを有する有機バインダー、 を含む、電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618A

Fターム (16件)：

5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039712   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-125861
  
• 特開昭48-077841
  
• 特開平2-010778
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High-Mobility Doped Polymers