特許
J-GLOBAL ID:201403078416905457

ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-077606
公開番号(公開出願番号):特開2010-229477
特許番号:特許第5413646号
出願日: 2009年03月26日
公開日(公表日): 2010年10月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】 Co2(FexMn1-x)Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有することを、特徴とするホイスラー合金材料。
IPC (7件):
C22C 19/07 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01) ,  H01F 10/32 ( 200 6.01) ,  H01F 10/28 ( 200 6.01) ,  H01F 41/22 ( 200 6.01)
FI (7件):
C22C 19/07 C ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/28 ,  H01F 41/22

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