特許
J-GLOBAL ID：201403078887822470
SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185974
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043368
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】貫通刃状転位の少ないSiC単結晶を製造する方法、および、そのSiC単結晶を提供する。【解決手段】SiC種結晶として4H-SiCまたは6H-SiCを用いる方法であって、(0001)面に成長させ、ステップを以下の(1)〜(3)から選ばれる少なくとも1方向かつ貫通刃状転位上に進展させる。(1):[-1-120]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[11-20]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、(2):[-2110]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[2-1-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、(3):[-12-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向、または、[1-210]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下でSiC種結晶の結晶成長面にSiC単結晶を結晶成長させ、前記SiC種結晶における貫通刃状転位上にSiCからなるステップを進展させる結晶成長工程を備え、
前記SiC種結晶として4H-SiCまたは6H-SiCを用い、
前記結晶成長面は(0001)面であり、
前記結晶成長工程における前記ステップの進展方向は、以下の(1)〜(3)から選ばれる少なくとも1方向であるSiC単結晶の製造方法。
(1):[-1-120]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[11-20]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、
(2):[-2110]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[2-1-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、
(3):[-12-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向、または、[1-210]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB10
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077EC08
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA26
, 4G077QA71
, 4G077QA77
, 4G077QA79
