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J-GLOBAL ID：201502204330940411   整理番号：15A1046120

Si-MOS構造を有する多重量子ドットデバイスの特性評価

著者 (9件)： 本田拓夢 (東工大 量子ナノ研) ,  米田淳 (理研) ,  武田健太 (理研) ,  小寺哲夫 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  樽茶清悟 (理研) ,  樽茶清悟 (東大) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15A-1C-3  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *量子ドット ,  キャラクタリゼーション ,  *情報処理 ,  電子スピン ,  二次元電子ガス ,  多重露光 ,  ゲート【半導体】 ,  *多重量子ドット ,  *量子情報処理
準シソーラス用語： 金属ゲート ,  特性評価

分類 (3件)： その他の情報処理  (JE15050M) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  MOS構造 ,  多重量子ドット ,  特性評価