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J-GLOBAL ID：201502206534707891   整理番号：15A0864282

メタマテリアルを集積した化合物半導体導波路型光メモリの研究

著者 (1件)： 雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 29  ページ： 49-59  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 誘電率や透磁率の値を人工的に制御できるメタマテリアルをInP系光通信素子に融合することで,新しいデバイスであるトライゲートメタマテリアルとメタマテリアル集積型マッハツェンダー変調器を作製した。透磁率を制御することによる光変調器を提案し,基本的動作を得ることに成功した。この技術を用いて透磁率の値を制御することによる光メモリの実現が将来的に可能となる見通しを得た。

シソーラス用語： *人工材料 ,  *光変調素子 ,  トランジスタ ,  透磁率 ,  *光学メモリ ,  リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *光導波路 ,  *光集積回路 ,  *メタマテリアル ,  III-V半導体
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  *Mach-Zehnder光変調器 ,  トライゲート ,  負透磁率

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： メタマテリアル ,  集積 ,  化合物半導体 ,  導波路 ,  光メモリ ,  研究