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J-GLOBAL ID：201502208236950913   整理番号：15A1046776

斜方晶Sc_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

著者 (4件)： 浜嵜容丞 (東京工大 応用セラミックス研) ,  安井伸太郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  谷山智康 (東京工大 応用セラミックス研) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-2L-1  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 材料 ,  固相反応 ,  *鉄酸塩 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  強誘電性 ,  磁性 ,  *エピタクシー ,  *構造 ,  磁気転移 ,  化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  *ドメイン構造 ,  *マルチフェロイック材料
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  エピタクシー成長 ,  磁気相転移 ,  *鉄酸スカンジウム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 斜方晶 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製 ,  特性評価