大気圧CVD法によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ナノ構造の成長とフォトルミネッセンス特性

寺迫智昭; 大森裕也; 河崎雄樹; 佐伯拓哉; 門田直己; 宮田晃; 矢木正和

文献

J-GLOBAL ID：201502211303635930 整理番号：15A1044911

大気圧CVD法によるβ-Ga₂O₃ナノ構造の成長とフォトルミネッセンス特性

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資料名：
巻： 76th ページ： ROMBUNNO.13P-PB6-1 発行年： 2015年08月31日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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酸化物の結晶成長 , 半導体のルミネセンス

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大気圧CVD法によるβ-Ga2O3ナノ構造の成長とフォトルミネッセンス特性

大気圧CVD法によるβ-Ga₂O₃ナノ構造の成長とフォトルミネッセンス特性