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J-GLOBAL ID:201502212846043460   整理番号:15A1389019

ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計

Design of Low Loss 60 GHz CMOS On-Chip Dipole Antenna By Helium-3 Ion Irradiation
著者 (8件):
資料名:
巻: 115  号: 261(EST2015 69-90)  ページ: 123-127  発行年: 2015年10月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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60GHz帯ミリ波CMOSオンチップアンテナはシリコン(Si)基板による損失が大きいという欠点がある。Si基板にヘリウムイオンを照射することで,抵抗率を上げ(導電率を下げ)て損失を低減することが可能である。本稿では,抵抗率10Ωcm(導電率10S/m)のSi基板の500μm×1000μmの領域を抵抗率10kΩcm(導電率0.01S/m)と損失を低減させ,高効率なオンチップダイポールアンテナを設計した。ダイポール素子の幅は損失低減と広帯域化のために太い。また整合を取るためにテーパー部とスタブが設けられている。背面放射を抑制するためにチップの裏面は金属で裏打ちしている。電磁界シミュレーションの結果,62GHzでの反射は-15dB,放射効率は48%,チップ正面方向の利得は2.7dBiとなった。(著者抄録)
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分類 (2件):
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集積回路一般  ,  アンテナ 
引用文献 (8件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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