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J-GLOBAL ID：201502215153081995   整理番号：15A1152508

新規ScFeO₃薄膜の作製とその強誘電性

著者 (4件)： 安井伸太郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  浜嵜容丞 (東京工大 応用セラミックス研) ,  谷山智康 (東京工大 応用セラミックス研) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 28th  ページ： ROMBUNNO.3G17  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,  *鉄酸塩 ,  構造 ,  *薄膜 ,  強誘電体 ,  チタン酸ストロンチウム ,  配列 ,  パルスレーザ蒸着 ,  蒸着膜 ,  エピタクシー ,  化学量論 ,  強誘電性 ,  ドメイン構造 ,  原子配列

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  作製 ,  強誘電性