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J-GLOBAL ID：201502218177210263   整理番号：15A0507970

EFI-SHG法による高配向高分子半導体薄膜の注入および輸送異方性評価

著者 (4件)： 安部健太郎 (東京工大 理工) ,  松原幸平 (東京工大 理工) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13A-D3-5  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,  *高分子半導体 ,  分子配向 ,  *第二高調波発生 ,  電場効果 ,  芳香族縮合炭化水素 ,  高分子膜 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  スピンコーティング ,  基板 ,  ケイ素 ,  移動度 ,  異方性 ,  PMMA膜 ,  フルオレン類
準シソーラス用語： フルオレン誘導体

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (8件)： SHG ,  配向 ,  高分子半導体 ,  薄膜 ,  注入 ,  輸送 ,  異方性 ,  評価