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J-GLOBAL ID：201502218295650651   整理番号：15A1044281

Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答

著者 (8件)： 井上大輔 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13A-2S-8  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *分布帰還形レーザ ,  半導体薄膜 ,  *リン化インジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  化合物半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  光変調 ,  過渡応答 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  直接変調

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  GaInAsP ,  InP ,  薄膜 ,  DFBレーザ ,  直接変調 ,  応答