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J-GLOBAL ID：201502233653184810   整理番号：15A0507143

GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低電圧動作

著者 (8件)： 厚地祐輝 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-A17-11  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  レーザ発振 ,  電圧 ,  Fabry-Perot共振器 ,  電流電圧特性 ,  低電圧
準シソーラス用語： Fabry-Perot半導体レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaInAsP ,  InP ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  低電圧