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J-GLOBAL ID：201502240149606343   整理番号：15A0509204

薄膜HfS₂ FET

著者 (9件)： 金澤徹 (東京工大 大学院) ,  雨宮智宏 (東京工大 大学院) ,  雨宮智宏 (理研) ,  石川篤 (岡山大 大学院) ,  石川篤 (理研) ,  鶴田健二 (岡山大 大学院) ,  田中拓男 (理研) ,  田中拓男 (北大 電子科研) ,  宮本恭幸 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.14P-D7-6  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ハフニウム化合物 ,  硫化物 ,  薄膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  Ramanスペクトル ,  化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  電流電圧特性 ,  電極 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： *二硫化ハフニウム ,  ゲートスタック ,  原子層堆積 ,  裏面電極

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  FET