文献
J-GLOBAL ID：201502257566991160
整理番号：15A0508191
GaとH2Oを原料とする大気圧化学気相堆積法によるβ-Ga2O3薄膜及びナノ構造の成長
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
62nd
ページ：
ROMBUNNO.13A-P18-16
発行年：
2015年02月26日
JST資料番号：
Y0054B
ISSN：
2758-4704
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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固体デバイス製造技術一般
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