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J-GLOBAL ID：201502267903937675   整理番号：15A0507902

プラズマ支援反応性スパッタリング法を用いたアモルファスIGZO薄膜の低温形成とその特性評価

著者 (6件)： 節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  陶山悠太郎 (大阪大 接合科研) ,  中田慶太郎 (大阪大 接合科研) ,  竹中弘祐 (大阪大 接合科研) ,  内田儀一郎 (大阪大 接合科研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13A-A27-9  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  酸化物 ,  結晶成長 ,  *反応性スパッタリング ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  薄膜 ,  低温成長 ,  電界効果移動度 ,  酸化物薄膜 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性スパッタリング ,  アモルファス ,  IGZO ,  薄膜 ,  低温形成 ,  特性評価