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J-GLOBAL ID：201502278052669119   整理番号：15A0509218

AlFeO₃エピタキシャル薄膜における抵抗スイッチング特性および負性抵抗現象

著者 (5件)： HAN Yefei (東京工大 応用セラミックス研) ,  濱嵜容丞 (東京工大 応用セラミックス研) ,  安井伸太郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  谷山智康 (東京工大 応用セラミックス研) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.14P-D10-3  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  鉄酸塩 ,  薄膜 ,  *スイッチング ,  *負性抵抗 ,  *RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  パルスレーザ蒸着 ,  電流電圧特性 ,  膜厚 ,  エピタキシャル膜 ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *鉄酸アルミニウム ,  *ReRAM

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  スイッチング特性 ,  負性抵抗 ,  現象