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J-GLOBAL ID：201502282784245815   整理番号：15A0505974

ゲート制御性を向上したSi-MOS量子ドットデバイスの作製と評価

著者 (9件)： 本田拓夢 (東工大 量子ナノ研) ,  小寺哲夫 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  米田淳 (理研) ,  武田健太 (東大) ,  樽茶清悟 (東大) ,  樽茶清悟 (理研) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-A23-4  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *MOS構造 ,  *二次元電子ガス ,  *コンダクタンス ,  帯電 ,  量子閉込め ,  情報処理 ,  半導体素子 ,  Coulombブロッケード ,  *電圧 ,  量子情報処理
準シソーラス用語： *Coulombダイヤモンド ,  シリコン ,  電界効果素子 ,  *ゲート電圧

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート制御 ,  Si ,  MOS ,  量子ドット ,  デバイス ,  作製 ,  評価