特許

J-GLOBAL ID：201503015448436749

窒化ガリウム(III)のナノ粒子の製造方法、及び酸化ガリウム(III)のナノ粒子の製造方法

発明者： 平野 勲 ,  山元 公寿 ,  今岡 享稔
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086347
公開番号（公開出願番号）：特開2013-216511
特許番号：特許第5780999号
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 1)下記一般式(1)で表されるフェニルアゾメチンデンドリマー化合物に、ガリウム化合物を配位させた、デンドリマー-ガリウム化合物錯体の溶液を基板の表面に塗布して、前記デンドリマー-ガリウム化合物錯体を前記基板の表面に分散された状態で担持させる、錯体担持工程と、 2)前記基板表面に担持されたデンドリマー-ガリウム化合物錯体から、前記基板上に窒化ガリウム(III)のナノ粒子を生成させる、窒化ガリウム(III)生成工程と、 を含む、窒化ガリウム(III)のナノ粒子の製造方法。 (上記一般式(1)中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式 の構造で表され、R1は、置換基を有してもよい芳香族基を表し、pは、R1への結合数を表し; 上記一般式(1)中のBは、前記Aに対して1個のアゾメチン結合を形成する次式 の構造で表され、R2は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し; 上記一般式(1)中のRは、末端基として前記Bにアゾメチン結合を形成する次式 の構造で表され、R3は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し; nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を表し; mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0のときはm=pであり、n≧1のときはm=2npである。)

IPC (3件)：

C01B 21/06 ( 200 6.01) ,  C01G 15/00 ( 200 6.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01)

FI (4件)：

C01B 21/06 A ,  C01B 21/06 M ,  C01G 15/00 D ,  B82Y 40/00