特許

J-GLOBAL ID：201503018977867045

ナノデバイス及びその製造方法

発明者： 真島 豊 ,  寺西 利治 ,  松本 和彦 ,  前橋 兼三 ,  東 康男 ,  大野 恭秀 ,  前田 幸祐 ,  ギョーム ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013055261
公開番号（公開出願番号）：WO2013-129535
出願日： 2013年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月06日
要約：

ダイオード、トンネル素子、MOSトランジスタなどの電子デバイスと組み合わされるナノデバイス、集積回路及びナノデバイスの製造方法を提供する。ナノデバイスは、第1の絶縁層2と、第1の絶縁層2上にナノギャップを有するように設けられた一方の電極5Aと他方の電極5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に配置された金属ナノ粒子7又は機能分子と、第1の絶縁層2、一方の電極5A及び他方の電極5Bの上に設けられ、かつ金属ナノ粒子7、機能分子の何れかを埋設する第2の絶縁層8とを備える。第2の絶縁層8がパッシベーション層として機能する。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁層と、 上記第1の絶縁層上にナノギャップを有するように設けられた一方の電極と他方の電極と、 上記一方の電極と上記他方の電極との間に配置された金属ナノ粒子と、 上記第1の絶縁層、上記一方の電極及び上記他方の電極の上に設けられ、上記金属ナノ粒子を埋設する第2の絶縁層と、 を備える、ナノデバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (6件)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 S

Fターム (30件)：

5F110AA04 ,  5F110BB13 ,  5F110CC05 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71