発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本孝久 , 吉井正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-239827
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099872
出願日： 2013年11月20日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
要約：

【課題】迷光の発生、信頼性の低下といった問題が生じ難い構成、構造の発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、第1化合物半導体層30、活性層52を含む第3化合物半導体層50及び第2化合物半導体層40が積層されて成り、光出射端面60及び光反射端面70を有する積層構造体20を備えており、光出射端面70は、少なくとも、第2化合物半導体層40の端面から構成された光出射端面第2領域62、及び、第3化合物半導体層50の端面から構成された光出射端面第3領域63を有しており、光出射端面60における仮想垂直面と光出射端面第2領域62との成す角度をθ2、光出射端面第3領域63との成す角度をθ3としたとき、0度≦|θ3|<|θ2|を満足する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層を含む第3化合物半導体層、及び、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が積層されて成り、光出射端面及び光反射端面を有する積層構造体を備えており、光出射端面は、少なくとも、第2化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第2領域、及び、第3化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第3領域を有しており、光出射端面における仮想垂直面と光出射端面第2領域との成す角度をθ2、光出射端面第3領域との成す角度をθ3としたとき、 0度≦|θ3|<|θ2| を満足する発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/10 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01S5/10 , H01S5/323 610

Fターム (19件)：

5F173AA08 , 5F173AA16 , 5F173AA44 , 5F173AF28 , 5F173AF33 , 5F173AF35 , 5F173AF40 , 5F173AH22 , 5F173AK08 , 5F173AL04 , 5F173AP05 , 5F173AP24 , 5F173AP33 , 5F173AP83 , 5F173AP84 , 5F173AR52 , 5F173AR82 , 5F173AR96 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-093765 出願人：シャープ株式会社
III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-002223 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-011117 出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar {20-21} free-standing GaN substrates"

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