半極性{2021}自立GaN基板上のInGaN系レーザダイオードの531nm緑色レーザ放射

ENYA Yohei; YOSHIZUMI Yusuke; KYONO Takashi; AKITA Katsushi; UENO Masaki; ADACHI Masahiro; SUMITOMO Takamichi; TOKUYAMA Shinji; IKEGAMI Takatoshi; KATAYAMA Koji; NAKAMURA Takao

文献

J-GLOBAL ID：200902218428703216 整理番号：09A0914344

半極性{2021}自立GaN基板上のInGaN系レーザダイオードの531nm緑色レーザ放射

531 nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} Free-Standing GaN Substrates

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資料名：
巻： 2 号： 8 ページ： 082101.1-082101.3 発行年： 2009年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

半極性{2021}自立GaN基板上のInGaN系レーザダイオードの531nm付近の純緑色領域におけるレーザ放射を室温でのパルス動作下で実証した。最長レーザ発振波長は531nmに達し,典型的な閾値電流密度は520nmレーザダイオードに対して8.2kA/cm2であった。新しい{2021}面の利用で,高いIn含有率でも均一なInGaN量子井戸を作製できた。レーザダイオードからの自然放出のスペクトル線幅は他の面上のものよりも狭かった。{2021}面上の高品質のInGaN量子井戸は緑色レーザダイオードの実現を進展させた。(翻訳著者抄録)

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半導体レーザ

引用文献 (18件)：

MIYOSHI, T. Proc. SPIE. 2008, 6894, 689414
KIM, K. S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 101103
QUEREN, D. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 081119
MIYOSHI, T. Appl. Phys. Express. 2009, 2, 062201
CHICHIBU, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4188

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