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J-GLOBAL ID：201602201064097205   整理番号：16A0282186

Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作

著者 (8件)： 井上大輔 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-S321-8  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *分布帰還形レーザ ,  リン化インジウム ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  半導体材料 ,  ショッピングセンタ ,  *光変調 ,  光導波路 ,  *量子効率 ,  素子構造 ,  出力 ,  周波数 ,  半導体薄膜 ,  光出力 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： CSC ,  Si基板 ,  緩和振動周波数 ,  変調効率

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  GaInAsP ,  InP ,  薄膜 ,  DFBレーザ ,  変調効率