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J-GLOBAL ID：201602209055418261   整理番号：16A0284122

プラズマ支援反応性スパッタリングを用いたアモルファスIGZO薄膜トランジスタの低温形成

著者 (6件)： 節原裕一 (大阪大 接合科研) ,  中田慶太郎 (大阪大 接合科研) ,  佐竹義且 (大阪大 接合科研) ,  竹中弘祐 (大阪大 接合科研) ,  内田儀一郎 (大阪大 接合科研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-W611-2  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *物理蒸着 ,  *反応性スパッタリング ,  *非晶質半導体 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *アモルファス半導体 ,  プラズマ支援PVD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性スパッタリング ,  アモルファス ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  低温形成