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J-GLOBAL ID：201602209862939887   整理番号：16A0361791

プラズマ活性化貼付法を用いたAlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製

著者 (8件)： 鈴木純一 (東京工大) ,  林侑介 (東京工大) ,  井上慧史 (東京工大) ,  HASAN Shovon MD Tanvir (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2016  号： 総合大会  ページ： ROMBUNNO.C-4-7  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： G0508B  ISSN： 1349-144X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 活性化 ,  プラズマ応用 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  SOI構造 ,  ハイブリッド方式 ,  *半導体レーザ ,  *ヒ化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： *AlInAs ,  *Fabry-Perot半導体レーザ ,  *GaInAsP

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ活性化 ,  貼付 ,  AlInAs ,  酸化 ,  狭窄 ,  GaInAsP ,  SOI ,  レーザ ,  作製