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J-GLOBAL ID：201602210094617458   整理番号：16A0280850

多層Alゲート構造を用いたSi-MOS量子ドットデバイス作製プロセスの検討

著者 (10件)： 本田拓夢 (東工大 量子ナノ研) ,  米田淳 (理研) ,  武田健太 (理研) ,  川那子高暢 (東工大 量子ナノ研) ,  小寺哲夫 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  樽茶清悟 (理研) ,  樽茶清悟 (東大) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.19P-P4-7  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *MOS構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *漏れ電流 ,  アルミニウム ,  多層 ,  半導体プロセス ,  プラズマ処理 ,  素子構造 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多層 ,  Al ,  ゲート ,  Si ,  MOS ,  量子ドット ,  作製 ,  プロセス