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J-GLOBAL ID：201602211461737984   整理番号：16A0233117

強誘電体分極・表面電荷を用いたπ電子材料の機能制御と電界効果素子の開発

著者 (2件)： 長田貴弘 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  北村健二 (物質・材料研究機構)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 29-2  ページ： 266-273  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,LiNbO₃基板に単層グラフェンを転写した試料の抵抗率の温度依存性,光照射依存性を検討した。基板表面処理,電極構造の見直しにより+極性面の試料では非極性試料に比べ4桁の高抵抗化,室温から400°Cまでの温度変化に対しては2桁の低抵抗化を実現した。グラフェン/LiNbO₃構造で界面に誘起される電荷がグラフェンのπ電子の電子分布に影響し,+極性面において電子が強く局在化して,その局在化によって高抵抗化が生じたものと推察できた。また光誘起によっても表面電荷が変化するので,熱と光のセンシング材料の可能性が示された。

シソーラス用語： *グラフェン ,  基板 ,  ニオブ酸リチウム ,  *転写【遺伝】 ,  *半導体薄膜 ,  温度依存性 ,  *電気抵抗率 ,  *表面処理 ,  構造 ,  改変 ,  誘電分極 ,  表面電荷 ,  π電子 ,  *半導体素子 ,  *単層グラフェン ,  電極構造 ,  強誘電分極
準シソーラス用語： 局在化 ,  *電界効果素子

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

引用文献 (7件)：

• G. Rosenman, D. Shur, Ya. E. Krasik and A. Dunaevsky, J. Appl. Phys. 88, 6109 (2000) .
• Yang Sun, and Robert J. Nemanich, J. Appl. Phys. 109, 104302 (2011) .
• X. Liu, K. Kitamura, Q. Yu, J. Xu, M. Osada, T. Nagata et al., Sci. Technol. Adv. Mater, 14, 055011 (2013) .
• E.B. Song, B. Lian, S.M. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 99, 042109 (2011) .
• G.-X. Ni, Y. Zheng, S. Bae et. al, ACS Nano 6, 3935 (2012) .

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電体 ,  分極 ,  表面電荷 ,  電子材料 ,  電界効果素子 ,  開発