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J-GLOBAL ID：201602211845146181   整理番号：16A0754982

高性能フェナセン薄膜FETの開発と論理回路応用

著者 (9件)： 三上隆弘 (岡山大 大学院) ,  下侑馬 (岡山大 大学院) ,  浜尾志乃 (岡山大 大学院) ,  岡本秀毅 (岡山大 大学院) ,  郷田慎 (ナード研) ,  江口律子 (岡山大 大学院) ,  後藤秀徳 (岡山大 大学院) ,  林靖彦 (岡山大 大学院) ,  久保園芳博 (岡山大 大学院)
資料名： 日本化学会中国四国支部大会講演要旨集
巻： 2015  ページ： 159  発行年： 2015年11月07日 
JST資料番号： L1355B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フラーレンC60 ,  *薄膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *論理回路 ,  *シクロフェナセン ,  芳香族炭化水素
準シソーラス用語： *高性能 ,  CMOS論理回路

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B)

物質索引 (1件)： ベンゼン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  フェナセン ,  薄膜 ,  FET ,  開発 ,  論理回路 ,  応用