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J-GLOBAL ID：201602212989769101   整理番号：16A1063323

III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討

著者 (10件)： 井上慧史 (東京工大) ,  林侑介 (東京工大) ,  鈴木純一 (東京工大) ,  伊東憲人 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 科学技術創成研) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 科学技術創成研) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 科学技術創成研)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2016  号： ソサイエティ大会  ページ： ROMBUNNO.C-4-18  発行年： 2016年09月06日 
JST資料番号： G0508B  ISSN： 1349-144X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  光集積回路 ,  *混成集積回路 ,  *テーパ構造 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  化合物半導体 ,  シリコンフォトニクス ,  III-VI半導体
準シソーラス用語： *ハイブリッド集積回路 ,  GaInAsP

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  高効率 ,  シリコン領域 ,  テーパ ,  接続構造